Além de substituir um dos átomos da rede por um átomo do Grupo 3, também podemos substituí-lo por um átomo com cinco elétrons de valência, como os átomos do Grupo 5 de arsénio (As) ou fósforo (P).Neste caso, a impureza adiciona cinco elétrons de valência à rede onde só pode conter quatro. Isso significa que agora há um elétron em excesso na rede (ver figura abaixo).Porque ele doa um elétronObserve que o material permanece eletricamente neutro.
As impurezas doadoras doam elétrons carregados negativamente para a rede, então um semicondutor que foi dopado com um doador é chamado de semicondutor de tipo n; "n" significa negativo.Os elétrons livres superam em número os buracos num material de tipo n, então os elétrons são os portadores da maioria e buracos são os portadores da minoria.
[Os diodos de junção p-n são constituídos por duas peças adjacentes de materiais semicondutores de tipo p e de tipo n. Os materiais de tipo p e de tipo n são simplesmente semicondutores, como o silício (Si) ou o germânio (Ge),com impurezas atómicasO processo de adição intencional de impurezas a materiais é chamado dopagem;Semicondutores com impurezas são referidos como "semicondutores dopados".]
Além de substituir um dos átomos da rede por um átomo do Grupo 3, também podemos substituí-lo por um átomo com cinco elétrons de valência, como os átomos do Grupo 5 de arsénio (As) ou fósforo (P).Neste caso, a impureza adiciona cinco elétrons de valência à rede onde só pode conter quatro. Isso significa que agora há um elétron em excesso na rede (ver figura abaixo).Porque ele doa um elétronObserve que o material permanece eletricamente neutro.
As impurezas doadoras doam elétrons carregados negativamente para a rede, então um semicondutor que foi dopado com um doador é chamado de semicondutor de tipo n; "n" significa negativo.Os elétrons livres superam em número os buracos num material de tipo n, então os elétrons são os portadores da maioria e buracos são os portadores da minoria.
[Os diodos de junção p-n são constituídos por duas peças adjacentes de materiais semicondutores de tipo p e de tipo n. Os materiais de tipo p e de tipo n são simplesmente semicondutores, como o silício (Si) ou o germânio (Ge),com impurezas atómicasO processo de adição intencional de impurezas a materiais é chamado dopagem;Semicondutores com impurezas são referidos como "semicondutores dopados".]
Endereço
Quarto 1406, Bloco B, Edifício 6, Chuangzhi Plaza, n.o 429, Maanshan South Road, Hefei, Anhui, China
Telefone
86-137-21030134
